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Samsung muestra el camino a seguir en cuanto a almacenamiento interno de alta velocidad
Samsung ha dado un paso más en el desarrollo del almacenamiento interno de nuestros smartphones y ha presentado la primera memoria flash de 256GB basado en el standard UFS 2.0 (Universal Flash Storage).
Esta nueva memoria unifica una alta velocidad de transferencia, alta capacidad de almacenamiento y tamaño reducido, y la podremos ver a partir de la próxima generación de smartphones de alta gama. Es capaz de doblar la velocidad de la actual generación, pudiendo gestionar hasta 45.000 y 40.000 operaciones por segundo de entrada y de salida.
Velocidad de hasta 850 MB/s
Samsung ha logrado una velocidad de transferencia de información de 850 MB/s, el doble que las memorias SSD usadas en PCs, y una velocidad de escritura de 260MB/s, el triple que una tarjeta microSD de alto rendimiento. De esta forma, permite por ejemplo la reproducción de video en 4K mientras buscas imágenes o descargas datos en pantalla partida.
Con la llegada del USB 3.0(a los móviles), esta memoria también permitirá transferir datos entre dispositivos móviles a una velocidad mucho más alta, permitendo el envío de hasta 5GB de información en apenas doce segundos. Y eso, por supuesto, sin tener en cuenta la enorme capacidad de almacenamiento, capaz de alojar hasta 12 películas en FullHD.
Aún deberemos esperar para tenerla en nuestros móviles
Samsung está ya preparada para comenzar a manufacturar esta memoria, pero es difícil que la veamos integrada en un smartphone hasta la próxima generación. Sin duda es una gran noticia que nuestros teléfonos sean capaz de almacenar cada vez más, especialmente si tenemos en cuenta la poca simpatía de algunos fabricantes por las memorias microSD.
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